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业界最高水准8吋氮化镓上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研发

来源:未知 作者:佚名 责任编辑:融合网 发表时间:2012-06-02 13:39 阅读:
核心提示:Toshiba 副总裁暨半导体与储存装置产品执行副总裁Makoto Hideshima表示:“我们很高兴能与 Bridgelux 共同进行开发活动,达到业界最佳效能的8 吋氮化镓上矽 LED产品。我们将持续追求最先进的技术,目标将技术进一步商品化。”

LED照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商Bridgelux 公司,以及全球领导半导体制造商Toshiba公司,今日共同宣布成功开发出业界最高水准的 8 吋氮化镓上矽(GaN on Silicon) LED芯片,采用350mA电流,电压小于 3.1V,仅1.1mm 大小的LED芯片,亮度可达 614mW。Bridgelux 与 Toshiba在今年数月前才刚签署一项共同合作协议,接下来双方将进一步加快开发 LED 芯片的脚步,以因应全球对 LCD 面板和照明系统日渐增加的需求。

Toshiba 亦对Bridgelux 进行股权投资,以期共同追求固态照明(Solid State Lighting,SSL)领域的技术创新;这项投资将进一步促进两家公司于 固态照明 领域的发展,并以Toshiba先进的矽加工和制造技术开发能力为基础,加速推动 Bridgelux 氮化镓上矽 LED 芯片技术的研究与开发。

Bridgelux 执行长 Bill Watkins 表示:“Toshiba 与 Bridgelux长期携手开发技术,而股权投资将使两家公司形成更密切的策略关系,以达到促进降低照明市场中固态照明解决方案成本的共同目标。”

Toshiba 副总裁暨半导体与储存装置产品执行副总裁Makoto Hideshima表示:“我们很高兴能与 Bridgelux 共同进行开发活动,达到业界最佳效能的8 吋氮化镓上矽 LED产品。我们将持续追求最先进的技术,目标将技术进一步商品化。”

(责任编辑:融合网)

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