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多样化应用加速芯片创新

来源:通信世界网 作者:网络 责任编辑:admin 发表时间:2011-10-11 20:12 
核心提示:在创毅视讯展台记者了解到,创毅视讯9月份正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工艺WarpDrive 5000芯片,支持TDD和FDD模式,上下行速率达50Mbps/150Mbps,支持同频、异频测量和切换,支持DRX低功耗模式。

iPhone的流行和移动互联应用的激增,促使全球终端厂商都把主要精力投向了智能终端市场,市场竞争的激烈促使高集成度的芯片因其独特的成本以及设计优势受到了越来越多终端企业的青睐。在这一趋势下,主流芯片企业今年都陆续发布了一系列智能终端芯片方案,将智能终端芯片带入多核、高计算能力阶段。

高性能与高性价比各有市场

高通今年上半年即在行业中率先推出了革命性的芯片产品,包括全球首款HSPA芯片、3G/LTE多模芯片、全球首款1GHz移动单核芯片Snapdragon等。其在Snapdragon产品线上还推出了全球首款1.4GHz移动单核芯片、全球首款1.5GHz移动异步双核芯片,以及基于全新微架构的全新单核、双核、四核芯片组,单核速度最高达2.5GHz。

本届通信展期间,中国移动与HTC推出了首款基于意法·爱立信(ST-Ericsson)最新的强大NovaThor平台的智能手机。记者获悉,NovaThor平台集成了ST-Ericsson的Nova A9500 1GHz双核应用处理器和Thor M6718高速调制解调器(Modem),支持如临其境的3D图形功能、高速网页浏览和高清多媒体功能。

联发科技针对3.75G智能手机推出的MT6573芯片整体方案打出了高性价比的卖点。MT6573优化的硬件设计对3D图像处理技术和多媒体能力的支持使其得到联想、TCL、OPPO以及一大批千元智能手机厂商的青睐。

在TD智能终端芯片技术发展上,芯片正在从单模过渡到多模,TD多核单芯片解决方案正被广泛采用。而且在今年,TD芯片市场由于Marvell等国际品牌的加入、联芯科技与联发科技独立运作等因素的影响,竞争更为激烈。可以看到在功耗、价格、稳定性等指标上,TD芯片正在奋力赶上WCDMA标准。

LTE“水涨船高”带动芯片提速

LTE的商用能力取决于芯片环节的成熟程度,这已是不争的事实。

随着单芯片的不断涌现、多模多频终端的需求加大、越来越多的芯片公司进入LTE市场,终端产业链将更多的精力瞄向了为无线宽带杀手级“体验”做支撑的新方案和新技术。在LTE的刺激下,下一代网络对芯片的集成能力、多样化应用支撑能力的需求也在不断提高。

尽管参与LTE芯片研发的企业数量越来越多,但一位业界人士直言不讳地称,对目前LTE芯片领域热闹非凡的现象不要太过乐观,因为多模多频的挑战会在LTE接下来的发展中变得越来越现实,而届时真正能支持此需求的芯片厂家并不多。对此,包括国际上的实力芯片厂商都正在开发整合2G、3G、LTE(TDD/FDD)标准的多模多频芯片。

除了LTE,无线技术的革新以及移动互联网的快速发展,带来了无线技术的更多应用方向。在本届展会上可以看到,众多企业提出了无线云计算、手机SNS、手机文字识别、3D应用、视频翻译技术等新型应用,而这也迎合了多家芯片开拓手机之外芯片市场的趋势。

TD产业链因芯片繁荣而加速

TD联盟展区今年因众多芯片和终端企业的参与而人气颇高。在联芯科技可以看到其2011年度的重磅产品INNOPOWERTM原动力TM系列自研芯片,全面覆盖低成本TD功能手机、TD智能终端、TD融合终端、TD-LTE/TD-HSPA双模终端解决方案等多个领域。

芯通科技在本届展会上演示了其SMARTER RF-M3TM智能射频测试制造管理系统,吸引了大批参观者详细咨询。

在创毅视讯展台记者了解到,创毅视讯9月份正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工艺WarpDrive 5000芯片,支持TDD和FDD模式,上下行速率达50Mbps/150Mbps,支持同频、异频测量和切换,支持DRX低功耗模式。

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