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超紫外线芯片未来将成晶圆厂标准制程

来源:未知 作者:张立美 责任编辑:admin 发表时间:2018-08-03 11:02 阅读:
核心提示:AMD宣布与研发伙伴IBM共同合作,运用超紫外线微影技术,针对整个芯片中最关键的第一层金属链接进行测试,并成功生产出作业测试芯片,透过全面性的超紫外线微影技术,成功整合至大小为22mm*33mm的45纳米节点测试芯片制程。

AMD宣布与研发伙伴IBM共同合作,运用超紫外线微影技术,针对整个芯片中最关键的第一层金属链接进行测试,并成功生产出作业测试芯片,透过全面性的超紫外线微影技术,成功整合至大小为22mm*33mm的45纳米节点测试芯片制程。

据Bruno La Fontaine博士表示,AMD的超紫外线微影技术在未来数年,在半导体制程上的应用具十足的潜力,业界厂商因芯片体积缩小而受惠。虽然在业界可运用超紫外线微影技术量产之前,仍有许多挑战需要克服,但是AMD已经证明该技术可以成功地与半导体晶圆制程结合,完整产出芯片上的第一层金属互连层。

IBM结构研究经理David Medeiros表示,微影技术如同微处理器一样重,如何将含有数百万个电晶体集成芯片的高度复杂设计,移转到晶圆片上的技术,将是未来的重大挑战,而晶圆片上的多重层级,是建立一个芯片的必要条件。

David Mederios进一步指出,随着芯片工程师持续在芯片上加入崭新功能,同时增强芯片的效能表现,让体积愈来愈小的电晶体可在特定的区域中放置更多的电晶体,要如何制造小型电晶体与连接电晶体的金属线,与用来投射芯片设计在晶圆片上的光波长度有直接关系,超紫外线光刻显影技术采用13.5奈米的波长,大幅缩短现今的193纳米微影技术,持续推动传统芯片功能与体积间的可调整性。

现时,位于德国德勒斯登的AMD36号厂,首先采用193nm浸润式微影量产技术,进行芯片测试,再将测试芯片运送至位于纽约州阿尔巴尼的IBM奈米科学与工程学院之研发中心, AMD 、 IBM 与其他合作伙伴运用由ASML、IBM、与CNSE合作建置的ASML超紫外线微影扫描器,于德国制造的电晶体间进行第一层金属相连物的图样模型。

在完成图样成型、蚀刻与金属物沉淀等制程后,AMD对超紫外线微影设备架构进行电子测试,发现电晶体的特征与仅使用193nm浸润式微影量产技术进行的芯片测试结果相符。这些晶圆片将再透过标准的晶圆制程,增加额外的金属互连层,进而使大型的记忆数组亦可进行测试排程。

验证超紫外线显影技术量产可行性的下一步骤,是将此技术从金属互联物层的应用,扩展到所有层级,以证明超紫外线微影技术可制造一个完整的作业微处理器,预期国际半导体技术路线图将可望于2016年达到22nm半间距节点的标准,因此超紫外线微影技术必须在2016年前达到可量产的标准。

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