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LED芯片知识:MB GB TS AS芯片定义与特点

来源:中国LED网 作者:王月宝 责任编辑:admin 发表时间:2011-05-15 14:54 
核心提示:一、MB芯片定义与特点 定义: MB 芯片:Metal Bonding (金属粘着)芯片;该芯片属于UEC 的专利产品。 特点: 1、采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易; 2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收; 3、导电

一、MB芯片定义与特点

定义:

MB 芯片:Metal Bonding (金属粘着)芯片;该芯片属于UEC 的专利产品。

特点:

1、采用高散热系数的材料---Si  作为衬底、散热容易;

2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收;

3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4   倍),更适应于高驱动电流领域;

4、底部金属反射层、有利于光度的提升及散热;

5、尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB。

二、GB芯片定义和特点

定义:

GB 芯片:Glue Bonding (粘着结合)芯片;该芯片属于UEC 的专利产品。

特点:

1、透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底;

2、芯片四面发光、具有出色的Pattern;

3、亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准(8.6mil) ;

4、双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

三、TS芯片定义和特点

定义:

TS 芯片: transparent structure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP 的专利产品。

特点:

1、芯片工艺制作复杂、远高于AS led ;

2、信赖性卓越;

3、透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高;

4、应用广泛。

四、AS芯片定义和特点

定义:

AS 芯片:Absorbable structure  (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力、台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大.

大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

特点:

1、四元芯片、采用 MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮;

2、信赖性优良;

3、应用广泛。

(责任编辑:admin)
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