联电完成14nm制程FinFET结构芯片流片
在Synopsys 的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了一步，当然流片完成之后还需要对过程工艺等等项目进行完善和改进，还有大量工作要做。
近年来，在台积电，Globalfoundries，三星等老牌代工商的冲击下，联电在代工行业的排名一再下跌，更何况Intel也开始染指代工市场。在之前一轮的28nm HKMG制程技术竞赛中，联电便落在了台积电的后面，所幸联电后来与IBM技术发展联盟达成了协议，要共同开发14/10nm级别FinFET制程技术。
当然，要把虚的电路设计高效快速地转换成实的可制造性好的实际电路布局，还离不开EDA软件的帮忙，这次联电的流片设计就是在Synopsys 的DesignWare和StarRC两款EDA软件的帮助下实现的。
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