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三星成功流片20nm工艺ARM架构测试处理器

来源:xbitlabs.com 作者:消息 责任编辑:admin 发表时间:2018-11-14 12:03 
核心提示:韩国三星公司正式宣布,该公司已经成功流片首款基于20nm high-K metal gate工艺的测试处理器。这款测试处理器包括有ARM处理器IP,而此处理器的成功流片也可以让三星公司的客户更好得了解20nm工艺的特性。 三星公司的20nm工艺将会使用第二代gate last high-K

韩国三星公司正式宣布,该公司已经成功流片首款基于20nm high-K metal gate工艺的测试处理器。这款测试处理器包括有ARM处理器IP,而此处理器的成功流片也可以让三星公司的客户更好得了解20nm工艺的特性。

三星公司的20nm工艺将会使用第二代gate last high-K metal gate (HKMG)技术,以及第五代应变硅晶元。另外该工艺还将会使用第二代ultra-low k电介质实现功耗的下降。

三星公司此次使用了ARM物理和处理器IP。而ARM公司也提供了完整的测试芯片,包括有ARM Cortex-M0处理核心,ARM Artisan,定制内存,GPIO以及测试架构。而此次流片的成功也证明了三星公司先进20nm工艺的成熟性。实际芯片的商业化生产还需要等待一年左右的时间,而此次测试芯片的推出还只是20nm工艺获得成功的第一步。

三星公司高层Kyu-Myung Choi表示:“随着更多的功能集成入单个产品当中,SoC的半导体设计公司需要先进的代工服务,获得复杂得设计保障以及提供生产技术。此次的成功绝对是一个重要的里程碑。此款20nm测试芯片所使用的技术,工具,IP以及我们最先进的工艺,将会为我们的客户解决设计上面临的挑战,从而更快速有效提将他们最新的产品推向市场。”

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