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三星量产新型NAND闪存芯片 比现在快10倍

来源:赛迪网 作者:秩名 责任编辑:admin 发表时间:2011-05-13 12:41 
核心提示:5月13日消息,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。 三星电子在声明中称,这种闪存芯片的密度为64GB,配置一个DDR2.0接口

5月13日消息,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。

三星电子在声明中称,这种闪存芯片的密度为64GB,配置一个DDR2.0接口,允许这种芯片最多以每秒400MB的带宽传送数据。这个数据传输速度比目前市场上广泛应用的NAND闪存芯片的速度快10倍。这种新的NAND闪存芯片是采用20纳米级加工技术制造的。

三星称,它预计这种新的芯片将用于高性能移动设备,如智能手机、平板电脑和固态硬盘。

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