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满足数据中心 LSI定制芯片性能提升25%

来源:中关村在线 作者:于晓 责任编辑:admin 发表时间:2018-07-12 12:13 
核心提示:LSI日前宣布推出28nm定制芯片平台,该平台充分利用LSI在数代定制芯片方面的专有技术,使OEM厂商能够构建出高度差异化解决方案,以满足新一代数据中心、企业和服务供应商网络应用需求。

根据国外媒体报道,LSI日前宣布推出28nm定制芯片平台,该平台充分利用LSI在数代定制芯片方面的专有技术,使OEM厂商能够构建出高度差异化解决方案,以满足新一代数据中心、企业和服务供应商网络应用需求。

据悉,该28nm定制芯片平台采用台积电28HP(高效能高介电层金属闸)工艺技术,使客户能够实现前所未有的高SoC集成度,大幅提升性能,并显著降低功耗。同时它还为客户提供了丰富的预认证选择,其中包括串行器/解串器 (SERDES)、协议解决方案、高性能高密度存储器、1000Base-T以太网物理层以及ARM、MIPS和PowerPC 处理器等微处理器支持。

业界专家表示,如今网络系统需要差异化硬件解决方案来应对日益快速增长的流量,同时满足严格的功耗要求。定制芯片平台使OEM厂商能够根据客户要求量身定制硬件,从而满足他们不断增长的需求。

相对于前代技术而言,LSI日前宣布推出28nm设计库能将功耗降低高达40%,密度提高一倍,性能提升多达25%,从而使客户能在满足性能要求的同时降低产品成本和制冷成本。

LSI方面表示,28nm平台设计套件现已开始供货。目前多家客户正在开发首批 28nm定制芯片设计方案,预计将于近日提供样片。

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